生产碳化硅的设备
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎
拥有完整的4/6寸生产流程线，拥有碳化硅外延、高温离子注入、高温退火、高温氧化等全套工艺设备，提供完整的器件生产或部分工艺步骤定制。 2020年底，基本半导体位于深圳
进一步探索
碳化硅晶圆制造难在哪？做出200mm的凤毛麟角-电子哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的根据热度为您推荐•反馈
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_腾讯新闻
中电科48所陆续开发出碳化硅外延设备、高温高能离子注入机、高温激活炉、高温氧化炉，并持续研发第二代、第三代机型，截至目，其碳化硅设备已在生产线应用/签订合同百余
进一步探索
碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪 ！ 投资不易，同志一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉根据热度为您推荐•反馈
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多
2020年10月21日国内宽禁带半导体设备领域，在国家科技项目的大力推动下，我国宽禁带半导体设备正在逐步缩小与国外先进设备的差距:碳化硅半导体设备方面，100-150mm设
碳化硅外延设备_产品与技术_纳设智能官方网站
碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！ -全球半导体观察
2023年3月8日目4英寸、6英寸碳化硅晶圆为市场主流尺寸，并逐渐朝向8英寸转进。展望未来，周明奇指出，团队已投入8英寸导电型（n-type）4H碳化硅生长设备研发设计，今
碳化硅风向标，特斯拉说了不算 与非网
碳化硅风向标，特斯拉说了不算. 北京时间3月2日凌晨，特斯拉在其投资者日的演讲中，谈到最牵动 半导体 厂商的一句话，来自特斯拉动力总成工程负责人——科林坎贝尔，他提到
宇环数控：碳化硅设备处于研发或技术指标验证阶段、尚
2023年3月10日宇环数控：碳化硅设备处于研发或技术指标验证阶段、尚未取得客户订单. 集微网消息，近日， 宇环数控 在接受机构调研时表示，在3C消费电子领域，公司的设备
一种碳化硅匣钵的生产设备的制作方法
1.本实用新型涉及碳化硅匣钵生产技术领域，特别涉及一种碳化硅匣钵的生产设备。 背景技术： 2.在对碳化硅匣钵进行生产的过程中，需要经过研磨-混料-成型-烧结等工序，在混料的
宇环数控：我司碳化硅设备处于研发或技术指标验证阶段
宇环数控(002903)03月10日在投资者关系平台上答复了投资者关心的问题。 投资者：尊敬的董秘，您好，碳化硅是新型材料，当亟需标准来引领数控磨床的产品生产，作为数控
哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？ 知乎
碳化硅外延片生产的国外核心企业，主要以美国的Cree、 DowCorning、II-VI、日本的罗姆、昭和电工、三菱电机、德国的Infineon 等为主。其中，美国公司就占据全球70-80%的份额。 再一个就是加快国产化设备的研发，国产化设备的国产化其于成本的控制是非常有利的
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。. 自然界中也存在然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。. 纯的SiC晶体是无
碳化硅风向标，特斯拉说了不算 知乎
目该公司的碳化硅客户数有82家。同时，年内增加了25个相关的项目，其中新客户8家，近六成项目针对汽车客户。并且，随着第三代晶体管不断大批量生产，碳化硅领域的领先地位不断得到巩固，意法半导体还将在2023下半年增加第四代晶体管的产量。
预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模、竞
2022年7月17日碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4H-SiC)具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温
碳化硅外延技术突破或改变产业格局！-面包板社区
2021年4月29日或将改变国际碳化硅外延产业格局. 碳化硅产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。. 其中外延生长是承上启下的重要环节，具有非常关键的作用。. 图3 碳化
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破
2022年3月2日2.3. 生产工艺：较硅基半导体难度大幅增加；长晶环节是关键. 碳化硅衬底：是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽 度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。根据下游应用领 域不同，核心分类包括：
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 他认为，电力电力转换设备的首要指标就是效率，效率低就没有什么价值。提高采样频率波形会变得更好，SiC的工作频率比硅基器件提高差不多4到5倍，总损耗小了，所以可以提高效率。
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！ -全球半导体观察
2023年3月8日今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，这标志着台湾地区第三代半导体碳化硅向推进的进程。. 碳化硅作为第三代
产值15亿、产能12万片！国内再添2个SiC器件项目 最近，多个项目宣布开工/获得新进展等，与此同时，国内又将增2个碳化硅
值得注意的是，泰科润碳化硅功率器件(芯片)生产二期项目作为浏阳经开区代表项目参与现场签约。 报道陈，该项目由泰科润半导体投资建设——2019年，泰科润在浏阳经开区落地建设了一条6英寸的碳化硅功率芯片量产线，满产产值可达13-15亿元人民币。
碳化硅风向标，特斯拉说了不算 与非网
碳化硅风向标，特斯拉说了不算. 北京时间3月2日凌晨，特斯拉在其投资者日的演讲中，谈到最牵动 半导体 厂商的一句话，来自特斯拉动力总成工程负责人——科林坎贝尔，他提到在下一个 动力系统 中，碳化硅 晶体管 作为价格昂贵的关键部件，特斯拉新的解决
英罗唯森：开启碳化硅设备先河_澎湃号媒体_澎湃新闻-The Paper
2021年1月15日工业生产中的许多工艺都需在高温、高压和强腐蚀性的环境中进行，因此迫切需要更高效的耐腐蚀、耐高温和长周期使用的设备，碳化硅换热器正是可以充分满足这些苛刻工艺环境的绝佳选择。 碳化硅换热器是一种利用碳化硅陶瓷材料作为传热介质的新型换热
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 fct 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。1996 年德国 fct 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（fct）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27] 。
A股的碳化硅龙头是哪家? 知乎
同时该公司在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节规划建立测试线，以实现装备和工艺技术的领先，目测试线进展顺利，设备分批进厂安装调试中。 时代电气表示在功率半导体器件领域，该公司建有 6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地
一文看懂碳化硅（SiC）产业链_腾讯新闻
海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。 国内企业也在积极研发和探索碳化硅器件的产业化，已经形成相对完整的碳化硅产业链体系。
碳化硅风向标，特斯拉说了不算 知乎
目该公司的碳化硅客户数有82家。同时，年内增加了25个相关的项目，其中新客户8家，近六成项目针对汽车客户。并且，随着第三代晶体管不断大批量生产，碳化硅领域的领先地位不断得到巩固，意法半导体还将在2023下半年增加第四代晶体管的产量。
碳化硅外延设备_产品与技术_纳设智能官方网站
碳化硅化学气相沉积外延设备 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主创新的碳化硅外延
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追（三）
2022年1月13日目，碳化硅外延设备市场呈寡头竞争状态，主要供应商包括德国的Aixtron、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare，国外的Dow Corning、Wolfspeed、ETC以及国内的瀚成、域半导体和中国电科等碳化硅外延片制造商使用的设备均来源于这四家公
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破
2022年3月2日2.3. 生产工艺：较硅基半导体难度大幅增加；长晶环节是关键. 碳化硅衬底：是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽 度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。根据下游应用领 域不同，核心分类包括：
碳化硅外延技术突破或改变产业格局！-面包板社区
2021年4月29日或将改变国际碳化硅外延产业格局. 碳化硅产业链主要分为晶片制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。. 其中外延生长是承上启下的重要环节，具有非常关键的作用。. 图3 碳化
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 他认为，电力电力转换设备的首要指标就是效率，效率低就没有什么价值。提高采样频率波形会变得更好，SiC的工作频率比硅基器件提高差不多4到5倍，总损耗小了，所以可以提高效率。
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！ -全球半导体观察
2023年3月8日今日，据台媒报道，台湾中山大学晶体研究中心已成功长出6英寸导电型4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，这标志着台湾地区第三代半导体碳化硅向推进的进程。. 碳化硅作为第三代
A股的碳化硅龙头是哪家? 知乎
同时该公司在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节规划建立测试线，以实现装备和工艺技术的领先，目测试线进展顺利，设备分批进厂安装调试中。 时代电气表示在功率半导体器件领域，该公司建有 6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地
产值15亿、产能12万片！国内再添2个SiC器件项目 最近，多个项目宣布开工/获得新进展等，与此同时，国内又将增2个碳化硅
值得注意的是，泰科润碳化硅功率器件(芯片)生产二期项目作为浏阳经开区代表项目参与现场签约。 报道陈，该项目由泰科润半导体投资建设——2019年，泰科润在浏阳经开区落地建设了一条6英寸的碳化硅功率芯片量产线，满产产值可达13-15亿元人民币。
碳化硅风向标，特斯拉说了不算 与非网
碳化硅风向标，特斯拉说了不算. 北京时间3月2日凌晨，特斯拉在其投资者日的演讲中，谈到最牵动 半导体 厂商的一句话，来自特斯拉动力总成工程负责人——科林坎贝尔，他提到在下一个 动力系统 中，碳化硅 晶体管 作为价格昂贵的关键部件，特斯拉新的解决
国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
2022年4月24日1995 年沈阳星光技术陶瓷有限公司从德国 fct 公司引进技术和设备，在国内开始了重结晶碳化硅陶瓷材料的制造。1996 年德国 fct 公司又在唐山投资设厂成立唐山福赛特（fct）技术陶瓷工业有限公司生产重结晶碳化硅产品 [27] 。
英罗唯森：开启碳化硅设备先河_澎湃号媒体_澎湃新闻-The Paper
2021年1月15日工业生产中的许多工艺都需在高温、高压和强腐蚀性的环境中进行，因此迫切需要更高效的耐腐蚀、耐高温和长周期使用的设备，碳化硅换热器正是可以充分满足这些苛刻工艺环境的绝佳选择。 碳化硅换热器是一种利用碳化硅陶瓷材料作为传热介质的新型换热
最全！解析碳化硅外延材料产业链_器件
2020年11月24日SiC外延片制备设备情况. 碳化硅外延材料的主要设备，目这个市场上主要有四家： 北方华创介绍了公司为化合物半导体生产开发的相关刻蚀机等设备。公司表示在化合物半导体SiC/GaN 的刻蚀中存在诸多挑战，包括刻蚀的宽纵比、特殊的刻蚀轮廓的控
中金 碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追
2022年1月13日碳化硅（SiC）材料是第三代化合物半导体的典型代表，特别是在下游需求快速成长的新能源相关应用中，我们认为SiC相比Si基材料优势明显：1）在新